池州市為進一步加快推進“三重一創(chuàng)”建設，著力培育壯大經(jīng)濟發(fā)展新動能，出臺多項獎勵扶持政策。下面就是池州市支持“三重一創(chuàng)”建設獎勵扶持政策全文，有想要申報其中獎補資金的，可以咨詢小編了解詳情。

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一、扎實推進重大新興產(chǎn)業(yè)基地建設

（一）支持新建項目。對新投產(chǎn)的半導體核心產(chǎn)業(yè)項目，采取借轉補的形式對其按不超過設備購置費用20%的比例給予支持，每年最高不超過1000萬元；對新投產(chǎn)的半導體關聯(lián)產(chǎn)業(yè)項目，采取借轉補的形式對其按不超過設備購置費用10%的比例給予支持，每年最高不超過300萬元。按照“四督四?！睓C制推動戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集聚基地重大項目建設，對投資額5億元以上的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重大項目確定一名市領導具體聯(lián)系，協(xié)調(diào)解決項目推進中存在問題；對投資額10億元以上且對全市半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重大帶動作用的項目，市政府采取“一事一議”方式給予支持。

（二）支持科技人才團隊創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)。對符合省級科技人才的半導體行業(yè)創(chuàng)新團隊A、B、C三類的分別給予1000萬元、600萬元、300萬元支持，獲得人才團隊支持的企業(yè)在人才團隊項目驗收之前不再受理新建項目補助申請。鼓勵符合條件的人才團隊積極參加安徽創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽，獲得“雙創(chuàng)之星”項目，市級按照省級獎勵資金的1∶1予以配套獎勵。

（三）支持半導體企業(yè)做大做強。對連續(xù)2年產(chǎn)值、固定資產(chǎn)投資、稅收平均增速均在20%以上的半導體企業(yè)，給予其不超過實繳稅收、最高100萬元獎勵。

（四）鼓勵支持集聚基地企業(yè)發(fā)展。鼓勵集聚基地重點企業(yè)通過合資合作、產(chǎn)權流轉和股權置換等方式實施產(chǎn)業(yè)鏈、價值鏈并購重組。對兼并重組發(fā)生的評估、審計、法律顧問等前期費用按照實際發(fā)生給予一次性補助，單個項目補助最高不超過300萬元。

（五）支持市級新興產(chǎn)業(yè)基地建設。圍繞大健康、全域旅游、戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)等領域，鼓勵市域內(nèi)符合條件的園區(qū)創(chuàng)建市級戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展基地。每年委托第三方機構對市級重大新興產(chǎn)業(yè)基地從產(chǎn)值、稅收、固定資產(chǎn)投資、項目建設、創(chuàng)新能力、配套政策等方面進行評估，評估結果納入市政府目標管理考核。

二、積極爭取省級重大工程和重大專項

鼓勵符合條件的園區(qū)爭創(chuàng)省級重大工程、重大專項，新入選省級重大工程、重大專項的，市財政對申報主體給予100萬元支持。

三、加快構建創(chuàng)新型現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系

（一）建有國家或省認定的研發(fā)平臺的半導體企業(yè)研制開發(fā)新產(chǎn)品、新技術、新工藝當年所發(fā)生的各項費用和為研制開發(fā)新產(chǎn)品、新技術、新工藝所購置的關鍵設備、測試儀器的費用按照年度實際支出額最高不超過50%的補助，補助最高不超過300萬元。集成電路設計企業(yè)參加MPW的，給予MPW直接費用50%的補貼，最高不超過300萬元；對集成電路企業(yè)購買IP提供商或者Foundry的IP模塊開展高端芯片設計的，給予IP購買費用50%補貼，最高不超過300萬元。

（二）對半導體產(chǎn)業(yè)國家級工程（重點）實驗室、工程（技術）研究中心、國際聯(lián)合實驗室（研究中心）在國家組織的運行評估中獲優(yōu)秀等次的，一次性獎勵100萬元。對半導體產(chǎn)業(yè)省級工程（重點）實驗室、工程（技術）研究中心、國際聯(lián)合實驗室（研究中心）在省組織的運行評估中獲優(yōu)秀等次的，一次性獎勵50萬元。

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